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■ 主要構成

第１章　総論

第２章　各種素子とその構造概要、加工上の問題点

第３章　スライシング

第４章　研削加工

第５章　ラッピング・ポリシング

第６章　材料別ラッピング・ポリシング

第７章　ウエーハ作製におけるエッチングと表面改質

第８章　表面清浄法

第９章　ダイシング及びスクライビング等

第１０章　ウエーハ形状評価法

第１１章　加工変質層とその測定

■ 内容目次

1. 結晶材料の加工の特徴
2. 各種加工法概論
3. ラッピングとポリシングの特質
4. 自動化

1. はじめに
2. 測定・加工時の基本的注意
   2.1　各種目盛りとスリット・ブレード等の零調整
   2.2　各種方位出し
   2.3　方位移し換えとその治具類
   2.4　試料方位に対する2,3の注意
   2.5　おわりに

1. はじめに
2. 単体方位ラッピング
3. 多数枚方位ラッピング

1. はじめに
2. ひっかき硬さ
   2.1　ひっかき硬さの異方性
   2.2　ひっかき硬さとぜい性―延性遷移（Briittle-Ductile transition）
3. へき開面
   3.1　へき開面とすべり面
   3.2　へき開面上の模様
4. 異方性の代表例
   4.1　ダイヤモンドの異方性
   4.2　シリコン単結晶の異方性
   4.3　III-V化合物（特にせん亜鉛鉱型）結の異方性
   4.4　極性のちがいによる異方性
5. おわりに

1. ウエーハ移送の自動化の目的
2. MOSプロセスにおけるウエーハの流れ
3. 移送単位
4. ウエーハ移送システム
5. 清浄度

1. 結晶切断機
2. 外径研削機
3. スライシング機
4. ラッピング機
5. ポリシング機

1. はじめに
2. シリコン結晶の大型化及び面積成長速度の向上
3. シリコン機械加工の問題
4. そり測定の問題点
5. 不純物及びその熱的挙動
6. ウエーハデザイン
7. ウエーハコスト
8. おわりに

1. フェライト磁気ヘッドの概要
   1.1　フェライト材料について
   1.2　フェライト磁気ヘッドの歴史
2. フェライト磁気ヘッドの構造
   2.1　映像ヘッド
   2.2　オーディオ用・ダビング用磁気ヘッド
   2.3　消去ヘッド
   2.4　テープ検索用等の多素子磁気ヘッド
   2.5　磁気ディスク用浮動型磁気ヘッド
   2.6　フロッピーディスク用磁気ヘッド
3. 磁気ヘッドの加工
   3.1　磁気ヘッドの構成材料と加工精度
   3.2　研削加工（切断加工、成形加工）
   3.3　ラッピング・ポリシング
   3.4　超音波加工
   3.5　その他の加工方法
4. 加工変質層

1. 弾性表面波の用途
2. 作用および装置の概要
   2.1　弾性表面波の励振
   2.2　フィルタ
   2.3　共振器
   2.4　遅延線
3. 設計技術と工作上の問題点
   3.1　材料
   3.2　設計技術
   3.3　工作上の問題点

1. 光情報システムの概要
2. 光ファイバの接続の基礎
   2.1　光ファイバにおける光の伝播
   2.2　光ファイバにおける光の損失
   2.3　光ファイバの接続損失
3. 光コネクタの原理と精密技術
   3.1　光コネクタの基本構造
   3.2　光コネクタの性能設計
   3.3　光コネクタの加工
   3.4　光コネクタの加工精度の測定
4. 光コネクタの特性評価
   4.1　接続損失（インサーションロス）
   4.2　反射損失（リターンロス）
   4.3　漏話（クロストーク）
   4.4　その他
5. 光コネクタの種類と現状
   5.1　光コネクタの分類
   5.2　高性能形光コネクタ
   5.3　簡易形光コネクタ
   5.4　海外の光コネクタ技術状況
6. 光コネクタの展望

1. 振動子用水晶
2. 水晶振動子の種類
3. 切り出し角の測定と加工
4. 素板のラッピングと研磨
5. 振動子の組み立て
6. 水晶の光学製品への利用

1. はじめに
2. 時計用水晶振動子の要求特性
   2.1　腕時計用
   2.2　クロック用
3. 時計用水晶振動子の種類と特徴
   3.1　+5°Xカット音叉型屈曲水晶振動子
   3.2　ATカット水晶振動子
   3.3　フォトリソグラフィ法によるGTカット水晶振動子
   3.4　TM水晶振動子
4. 時計用水晶振動子の加工法と特徴
   4.1　機械加工法
   4.2　フォトリソグラフィによる加工法
5. おわりに

1. まえがき
2. 圧電単結晶のストリップ化
   2.1　結晶方位の検討
   2.2　ストリップ形状の小型化
3. 振動素子の製作プロセス
4. 振動子の構造
5. 振動子の特性
   5.1　電気的特性
   5.2　温度特性
   5.3　機械的特性及び耐候性
6. むすび

1. 高輝度電子源材料
2. ホウ化ランタン（LaB6）単結晶電子源
   2.1　LaB6単結晶育成技術
   2.2　電子銃構造と性能
3. 炭化チタン（TiC）単結晶電子源
   3.1　TiC単結晶育成技術
   3.2　電子銃構造と性能

1. スライシング総論
2. スライシング方法の問題点
3. 回し切り
4. 低速切断法
5. スライシングにおけるそりの原因
6. 切断ウエーハ処理の自動化

1. はじめに、問題の発端
2. ウエーハ加工程における問題点
3. 変形切断の原因
   3.1　インゴットのスライシングとブレード
   3.2　変形切断の発生
4. ブレードの内外径比
5. おわりとまとめ

1. 原理と構成
2. スライシングの性能に及ぼす要因
3. 内周型スライシングマシンの種類

1. はじめに
2. スライサーの切断ソフト及びマシン管理
   2.1　切断条件
   2.2　マシン管理
3. スライサーの自動化システム
   3.1　自動監視機能
   3.2　自己修正機能
   3.3　ワークのハンドリング
4. 今後の方向

1. 構造
   1.1　トイシ軸
   1.2　トイシ頭上下送り
   1.3　コラム前後送り
2. 操作盤
   2.1　機械操作盤
   2.2　NC操作盤
3. サイクル
4. 加工
   4.1　シリコン丸棒の切断
   4.2　水晶の切断
   4.3　セラミックスの切断
   4.4　加工上の留意点

1. まえがき
2. スライシングの環境条件
   2.1　振動
   2.2　温度
3. 装置の精度条件
   3.1　構造上の精度
   3.2　振動要因の排除
4. ブレードの組付け
   4.1　装着
   4.2　張上げ
5. ドレッシング
6. クーラント
7. スライシング
   7.1　そりの抑制
   7.2　かけの発生防止
8. あとがき

1. はじめに
2. 外周カッタ
   2.1　外周カッタの形状、構造
   2.2　外周カッタの製法
   2.3　外周カッタの仕様
   2.4　切断条件
   2.5　加工例
3. IDブレード
   3.1　概要
   3.2　ダイヤモンド刃部
   3.3　合金
   3.4　テンション
   3.5　いろいろなIDブレード
4. バンドソー
   4.1　エンドレスバンドソー
   4.2　マルチバンドソー

1. 内周砥石の張り上げ方法
2. 張り上げによって発生する応力と変位
3. 砥石台金素材の異方性
4. 内周刃部真円張り上げ砥石
5. まとめ

1. ブレード動剛性
2. ブレード振動と切断面うねり

1. はじめに
2. ウエーハそりの発生原因
3. ウエーハそりと砥石張り上げ強さの関係
4. 試作砥石による切断実験
   4.1　セグメントタイプ内周形砥石
   4.2　多層内周形砥石
   4.3　薄型内周形砥石
5. おわりに

1. 概要
2. 原理、装置構成
3. 工作物材料
4. 切断面形状
5. 切断面ひずみ
6. 切断圧力
7. ディスキングにおける切断厚さの限界
8. まとめ

1. ワイヤソーへの熱い思い
2. メカニカルマルチワイヤソーの出現
3. なぜワイヤの細かい往復運動が必要か
4. メカニカルマルチワイヤソーの将来とその限界

1. はじめに
2. ダイヤモンド三角錐による引っかき実験
   2.1　実験装置と方法
   2.2　実験結果と考察
3. ワイヤソーによる切断実験
   3.1　実験装置と方法
   3.2　実験結果と考察

1. まえがき
2. 多刃切断機の原理と機構
3. 多刃切断機としての具備すべき条件と特徴
   3.1　多刃切断機の機構上要求される事項
   3.2　多刃機を有効に利用するために
   3.3　多刃切断機の特徴
4. 加工例
5. 結言

1. まえがき
2. 振動多刃方式の原理と特徴
3. 実験に用いた装置と実験の方法
4. 実験の結果と加工例
5. まとめ

1. MEEC加工法
   1.1　MEEC加工原理
   1.2　MEEC加工の特徴
   1.3　MEEC加工方式を導入した加工機械
   1.4　MEEC砥石および加工液
2. MEEC加工例
   2.1　センダストおよびアモルファス

1. 概要
2. 原理と構造
   2.1　放電回路
   2.2　ワイヤカットの構造
3. 加工方法と特性
   3.1　加工範囲
   3.2　加工速度
   3.3　加工溝幅
   3.4　加工面あらさと真直度
   3.5　加工面と加工変質層
   3.6　内部応力の影響
   3.7　加工精度
   3.8　セカンドカット
   3.9　テーパ加工
4. 加工例
   4.1　複雑形状加工
   4.2　特殊材料の加工
5. おわりに

1. M/Cの使用目的
2. M/Cの構成と特長
3. 各研削方式による研削表面の差異
4. 加工精度

1. まえがき
2. 面取り加工の目的
   2.1　かけ、チップの防止
   2.2　エピタキシャル成長時のクラウン防止
3. 面取り加工の方法
   3.1　倣い方式面取り加工
   3.2　総型方式の面取り加工
4. 面取りの形状
   4.1　面取りの形状
   4.2　加工寸法の設定
   4.3　面取り寸法の測定
5. 面取りの加工品質
   5.1　加工精度
   5.2　面取り部の加工層
   5.3　面取り部の平滑性
   5.4　面取り部の清浄性
6. 面取り加工の今後の動向

1. 加工機の種類
   1.1　倣い方式
   1.2　総型方式
   1.3　5軸NC制御方式
2. 倣い方式の加工機
   2.1　研削加工の原理
   2.2　倣い方式の開発目的
   2.3　その他の構造
   2.4　ウエーハの研削速度
   2.5　砥石について
   2.6　最後に

1. はじめに
2. 基板特性と加工工程
3. クラウン状多結晶Siの除去研削
4. 形状修正研削
5. むすび

1. はじめに
2. シリコンウエーハの鏡面研磨技術
   2.1　鏡面研磨方法の現状
   2.2　シリコン鏡面ウエーハに要求される品質と鏡面研磨条件
   2.3　研磨装置
3. 今後の動向
   3.1　高平坦度化と両面鏡面研磨技術
   3.2　レーザーマーク化
   3.3　ウエーハの大口径化とノッチ化

1. 微粉研磨材の定義
2. 微粉研磨材について考えるべきこと
3. 微粉研磨材の種類
4. 微粉研磨材の概要
5. 各種研磨材の電子顕微鏡写真
6. コロイダルシリカ又はシリカゲル

1. 種類
2. 製造方法
   2.1　インゴッドから粗粒までの製造
   2.2　砥粒微粉の製造
3. 粉砕アルミナ系微粉研磨材の粒度規格及び化学組成
4. 粉砕アルミナ系微粉研磨材の用途と品質管理

1. 種類
2. 板状アルミナの製法及びその特性
3. 微粒子アルミナの製法及びその特性

1. 種類と製法
2. SiC系微粉研磨材の用途
3. ラッピング用砥粒の性質
   3.1　形状
   3.2　硬度
   3.3　じん性

1. 種類
2. 製造方法
3. 微粒子けい酸の特性

1. 種類
2. 製造方法
3. コロイダルシリカの特性

1. 天然ダイヤモンドと合成ダイヤモンド
2. 分類
   2.1　粒状ダイヤモンド
   2.2　粉状ダイヤモンド
   2.3　品種区分
3. 粒度
   3.1　メッシュサイズダイヤモンド
   3.2　ミクロンサイズダイヤモンド
4. ミクロンサイズダイヤモンドの粒度分布
5. おわりに

1. 加工特性
   1.1　各種粉末粒子・工作物の組み合せと加工特性
   1.2　粉末物性制御と加工特性
2. 加工機構の一考察
3. EEMによる超精密数値制御加工法
4. EEM加工面の評価
5. あとがき

1. 緒言
2. 実験装置、加工方法
3. 加工結果
4. まとめ

1. はじめに
2. 非接触（浮上）原理
3. 加工装置の設計・試作
   3.1　工具面形状設計
   3.2　設計・試作装置
4. 加工装置の特性
   4.1　試料の浮上特性
   4.2　加工特性
5. むすび

1. まえがき
2. 設計方針
3. 構造
4. 試作結果
   4.1　定盤の浮上、振動特性
   4.2　加圧精度
   4.3　平面修正制御
   4.4　加工時の昇温特性
5. Siウエーハポリシングへの適用
6. あとがき

1. 緒言
2. 理論式の導出
   2.1　ウエーハに作用する圧力分布
   2.2　そり変化を表す式
   2.3　定数A1、A2、A3の決定法
3. 理論と実験の比較
   3.1　理論式の検討
   3.2　そり減少の機構
4. 結論

• 不二越機械工業（株）
• 東芝機械（株）
• スピードファム（株）
• スピットファイヤー
• シルテック

1. はじめに
2. メカノケミカルポリシングの原理・概要と加工機構
   2.1　加工原理にもとづく分類とその概要
   2.2　加工機構
3. 各種結晶材料のメカノケミカルポリシング特性
   3.1　Si単結晶
   3.2　GGG単結晶
   3.3　フェライト単結晶
   3.4　その他の結晶
4. むすび

1. はじめに
2. メカノケミカルポリシングの加工原理
3. 加工特性
   3.1　加工能率
   3.2　加工精度
4. サファイア以外の結晶への本加工法の適用
   4.1　水晶への適用
   4.2　Si単結晶への適用
   4.3　Si3N4焼結体への適用
5. むすび

1. 鋳鉄ボンドダイヤモンド（又はCBN）複合ラップ定盤の製作
2. 鋳鉄ボンド複合ラップ定盤の製作法と特性
3. 複合ラップ定盤によるラッピング

1. 光学ポリシングにおけるポリシャ
   1.1　ピッチポリシャ
   1.2　セラック含浸フェルトポリシャ
   1.3　硬質発砲ポリウレタンポリシャ
2. 金相学的ポリシングにおけるポリシャ
   2.1　フェルトポリシャ
   2.2　ダイヤモンドペースト用ポリシャ
3. 半導体ウエーハ研磨用ポリシャ

1. 自動化の方向
2. 加工寸法のインプロセス測定
3. 加工物の自動着脱
4. コンピュータコントロールによるポリシング

1. まえがき
2. 平行平面ラップ盤の種類
   2.1　オスカー型
   2.2　ラップマスター型
   2.3　ホフマン型
3. 良い平面を出すには
4. USP-Lapping machine
   4.1　機械構造
   4.2　特徴
5. むすび

1. まえがき
2. 自動球面研磨装置の概要
3. 水晶片自動研磨システム
   3.1　球面研磨部
   3.2　自動周波数制御部
4. 圧電気信号による周波数制御
   4.1　高周波圧電気信号
   4.2　周波数スペクトル検出法
5. 制御回路
   5.1　全体のブロック図
   5.2　研磨時のダイナミック・レスポンス
   5.3　周波数制御と板圧精度
6. まとめ

1. 加工原理
2. モデルテストによる研磨圧力の測定
3. 加工例

1. 概説
2. ハイドレーション・ポリシング
3. フロート・ポリシング
4. 磁場・電場援用の研磨
5. 磁場援用による設定パラメータの制御

1. 加工技術と適用対象
2. 水晶精密加工
3. 光応用結晶の精密加工
4. GaAsの精密加工
5. 複合加工
6. フェライトの精密加工
7. 結晶加工研究のまとめ
8. 加工研究の在り方と今後の課題

1. 結晶部品作製における要求事項
2. 結晶材料のラッピング
3. 結晶材料のポリシング
4. 高精度平面形状の研磨のための加工装置、ジグ

1. まえがき
2. 実験方法
3. 実験結果
   3.1　Br-メタノール-水系の加工特性
   3.2　Br-メタノール-コロイダルシリカ系の加工特性
   3.3　仕上がり面品位
4. むすび

1. はじめに
2. ハイドレーションポリシング法
3. ZnSeのポリシングに関する材料の基礎特性
4. 砥粒による機械的ポリシング
5. ケミカル-メカニカルポリシング
6. ハードレーションポリシング法と表面特性
7. あとがき

1. はじめに
2. フェライトの性質
3. 加工法と磁気特性
4. ラッピング・ポリシングにおける加工変質層
5. メカノケミカルポリシングにおける加工変質層

1. 緒言
2. 液中式加工法の特徴
3. 実験方法および条件
4. 実験結果および考察
   4.1　加工特性
   4.2　加工表面
   4.3　表面欠陥
5. まとめ

1. はじめに
2. LiTaO3、LiNbO3単結晶ウエーハ
   2.1　単結晶育成
   2.2　ウエーハ仕様
3. LiTaO3、LiNbO3単結晶ウエーハの加工技術
   3.1　スライシング
   3.2　ラッピング 3.3　裏面加工およびそり修正
   3.4　ポリシング
4. まとめ

1. エレクトロニクス産業とダイヤモンド
2. 装置と方法
3. 工業用ダイヤモンドの研磨
   3.1　研磨特性
   3.2　精密仕上
   3.3　こぼれの機構
   3.4　振動の影響
4. 異方性
   4.1　研磨不能の方向
   4.2　双晶

1. 宝石加工の分類
2. ダイヤモンド加工の特色
3. 原石検査（Inspection）
4. クリービング〔へき開加工〕（Cleaving）
5. ソーイング〔切断加工〕（Sawing）
6. ブルティング〔荒削りまたは胴摺り加工〕（Bruting）
7. カッティングとポリシング〔研磨加工〕（Cutting and Polishing）

1. 緒言
2. Si結晶のエッチング機構
3. 触媒連鎖
4. 拡散律速
5. マイクロマシーニング
6. 金属および酸化物のエッチング
7. 複合酸化物のエッチング液
8. エッチング液の基準
9. 反応生成物の溶解度
10. エッチング液の沸点
11. エッチングの例

1. はじめに
2. 酸性液によるSiウエーハのエッチング
3. アルカリ性液によるSiウエーハのエッチング
4. むすび

1. はじめに
2. 光源について
3. 応用範囲
   3.1　紫外線オゾン洗浄
   3.2　表面改質処理
   3.3　その他
4. 装置
5. 今後の展望

1. はじめに
2. 汚染の構造
3. 洗浄法の問題点
4. 清浄度評価について

1. はじめに
2. 微粒子汚染の現状
   2.1　クリンエア
   2.2　純水・薬品
   2.3　LSI製造装置
3. プロセス自動化
   3.1　製造装置の自動化
   3.2　ウエーハ移送システム
   3.3　計算機システム
4. まとめ

1. はじめに
2. ウエーハプロセスでの異物付着状況
   2.1　環境による汚染
   2.2　プロセス処理施設での異物付着状況
3. ウエーハ表面汚染・異物評価法
4. ウエーハ表面の異物除去について
5. まとめ

1. はじめに
2. 電子工業で要求される超純水の水質
3. 超純水中の微生物総数の水準
4. 超純水製造装置におけるUFの位置
5. 超純水と循環系の方式
6. システム構成材料の洗浄

1. はじめに
2. 薬品中の微粒子濃度測定
   2.1　顕微鏡法による精密測定
   2.2　自動式粒子計数器
3. 電子工業用薬品中の微粒子
4. 薬品中微粒子の半導体製造工程への影響
5. 無塵薬品への道

1. はじめに
2. 培養法による細菌数の測定
3. 純水中の微生物総数の測定
4. 純水製造ライン中における微生物の増加と殺菌・洗浄効果
5. おわりに

1. エレクトロニクスにおけるカビの問題
2. 自然界でのカビと人間との関係
3. トラブル発生の事例
4. 防止対策の具体的手段
5. 認識の向上のために

1. クリーンルームとは
2. クリーンルームの方式
3. 清浄度のモニタリング
4. 超クリーンネス管理
5. 結晶材料加工とクリーンネス

1. はじめに
2. 菌の一般状況
3. 菌持ち込みのの要因
4. 菌の除去効果
   4.1　加熱法
   4.2　濾過法
   4.3　照射法
   4.4　化学的法
5. 菌のLSIへの影響
   5.1　異物形状として
   5.2　不純物源として
   5.3　表面特性として

1. 酸化膜耐圧
2. 測定方法と酸化膜耐圧
3. プロセス依存性
4. 酸化膜厚依存性
5. 電極の効果
6. 測定面積と欠陥密度
7. サブ依存性
8. 最後に

1. システム構成
2. 電気システムブロック図
3. 各ユニットのシステムに関する機能
   3.1　システムコントローラ
   3.2　搬送コントローラ
   3.3　ウエーハマウンタ
   3.4　ダイサー
4. メカシステムの概略
   4.1　ウエーハマウンタ技術
   4.2　ダイシング技術

1. はじめに
2. 半導体基板のスクライビング
3. セラミックスのスクライビング

1. 磁気ヘッドにおける超精密加工
2. 高精度溝入れ加工機
   2.1　主な特長
   2.2　装置主要部の説明
   2.3　クローズドループ制御
   2.4　ダイヤモンドブレード
   2.5　半導体ウエーハ切断用ダイシングマシン
3. 今後の展望

1. はじめに
2. シリコンウエーハのそりの定義と分類
3. そり変形形状測定方法
4. そり・変形の制御
   4.1　ウエーハの加工変形
   4.2　処理変形の発生とそりの関連
5. おわりに

1. はじめに
2. ウエーハ平坦度の定義と測定法
3. レーザ干渉式自動フラットネステスタ
   3.1　フィゾー干渉計
   3.2　ディジタル画像処理システム
   3.3　測定例と性能
   3.4　統計的データ処理例
4. まとめ

1. モアレトポグラフィー計測法
   1.1　格子照射型モアレトポグラフィー
   1.2　格子投影型モアレトポグラフィー
   1.3　レーザストリーク型モアレトポグラフィー
2. ホログラフィー干渉計測法
   2.1　液（気）浸法
   2.2　二波長法
   2.3　計算機ホログラフィー法
   2.4　ロンキーテストホログラフィー法
3. 縞画像の解析

1. まえがき
2. 微小寸法測定機
   2.1　透過形測定機
   2.2　反射形測定機
   2.3　電子ビームによる線幅測定
3. 微小パターンの位置測定
   3.1　レーザ干渉式測長機
   3.2　レーザ干渉式座標測定機
4. あとがき

1. まえがき
2. 測定原理、特徴
3. 仕様
4. 測定例
5. むすび

1. オプトマイクロメータ
   1.1　測定原理と特長
   1.2　1点型オプトマイクロメータ
   1.3　多点同時測定型オプトマイクロメータ
   1.4　全自動式ウエーハ厚さ測定機
2. ニデック・ディジタルフラットネステスタ
   2.1　概要
   2.2　特徴
   2.3　測定原理
   2.4　全自動フラットネステスタの構成
   2.5　機能
3. ウエーハ形状自動計測の今後の展開

1. 緒言
2. 実験
3. 結果
4. 考察
5. 各加工工程における平面度の向上
6. 結語

1. 加工と変質層
2. 加工変質層とその検出方法
3. 光弾性法
4. X線回折プロファイルと面内方位
5. 異常分散の応用
6. おわりに

1. 序
2. 透過電子顕微鏡観察
3. 加工変質層のX線観察
4. まとめ

1. はじめに
2. 測定法および原理
3. 加工層とライフタイム
   3.1　サンドブラスト
   3.2　研磨加工
   3.3　スパッタエッチング
4. おわりに

1. はじめに
2. 鏡面品質の評価方法
3. 鏡面品質の観察例
   3.1　Sawダメージの影響
   3.2　バックサイド・ダメージの影響
   3.3　ウエーハ接着の影響
   3.4　研磨状態
4. あとがき

1. 緒言
2. 結晶表面と光の反射
   2.1　結晶格子欠陥と反射率
   2.2　表面あらさと反射率
   2.3　表面薄膜と反射率
3. 反射率スペクトルの測定
4. 各種加工面の反射率スペクトル
5. 結言

1. 序
2. X線回折の基礎
   2.1　プラグ反射と散漫散乱
   2.2　欠陥による散漫散乱
   2.3　熱散漫散乱
3. X線散漫散乱の測定
4. 観測例
   4.1　Siの加工表面
   4.2　GaAsの加工表面

1. まえがき
2. 機械加工ひずみ層とその評価方法
   2.1　ウエーハの湾曲（曲率）の測定
   2.2　機械加工表面のあらさの測定
   2.3　機械加工ひずみ層の測定
3. 機械加工ひずみ層の評価
   3.1　研削加工ひずみ層
   3.2　切断およびラッピング加工ひずみ層の評価
   3.3　研削加工ひずみ層（および切断加工ひずみ層）の発生機構
4. 機械加工ひずみ層の熱処理効果
   4.1　加工ひずみ層からの転位の発生
   4.2　加工ひずみ層のゲッタリング作用
5. あとがき

1. 目的
2. 試料及び実験方法
3. Siとその酸化物におけるケミカルシフト
   3.1　Siのオージェスペクトラム
   3.2　Si加工面のオージェスペクトラム
   3.3　SiのKLLスペクトラム及び酸素のスペクトラム
4. 計算式
5. 考察

1. はじめに
2. OSFの発生源の分類とメカノケミカルポリシングについて
   2.1　加工によるOSF発生の要因
   2.2　加工によるOSF発生の要因
3. メカノケミカルポリシングによるOSFの発生
   3.1　ポリシャ回転数（n）の影響
   3.2　加工圧力（p）の影響
   3.3　ポリシ剤ｎ供給量（q）の影響
   3.4　モデル実験
4. むすび

1. レーザラマン分光法の概要
2. ラマン散乱の基礎理論
   2.1　結晶の格子振動による散乱
   2.2　アモルファス材料からの散乱
3. 装置と測定法
4. 半導体評価の概要
5. 陽極酸化膜−GaAs構造中の遊離物質の評価
6. GaAs機械研磨層のストレス
7. 熱処理の絶縁膜−GaAs構造におけるストレス
8. GaAsイオン注入層の評価
9. その他の表面加工層の評価

1. 単結晶フェライト加工変質層の特徴
2. 加工変質層の定義
3. 加工変質層の影響
4. 加工変質層の測定方法と加工変質層深さ
5. 初透磁率による加工変質層の解析
   5.1　加工変質層と初透磁率
   5.2　初透磁率の測定法
   5.3　初透磁率の周波数特性
   5.4　エッチングによる初透磁率の変化
6. 常規磁化曲線による加工変質層の解析
   6.1　加工変質層と常規磁化曲線
   6.2　常規磁化曲線を求める方法
   6.3　加工法による常規磁化曲線の差
   6.4　エッチングによる磁束密度の変化
   6.5　加工変質層とひずみ分布の類推
7. 磁区観察による加工変質層の解析
8. おわりに

1. はじめに
2. 超音波吸収の測定方法及び測定装置
3. 測定試料
4. 研磨加工層の厚さの検討
   4.1　研磨層のエッチング・レイト
   4.2　加工層の除去とB-H曲線との関係
5. 超音波吸収の測定結果
6. 吸収ピークの検討
   6.1　500kの緩和型吸収
   6.2　240kのヒステリシス型吸収

1. 水晶発振器と周波数経時変化
2. 水晶振動子と研磨加工
3. 加工層の観察
   3.1　斜切断法による観察
   3.2　X線による加工層の観察
   3.3　電子線回折によるポリシェ加工層の観察
4. 振動子の共振周波数変化による観察
5. ポリシェした水晶の加工層の偏光解析法による観察
   5.1　溶融水晶のポリシェ加工層の観察
   5.2　ATカット水晶のポリシェ加工層の観察
6. 水晶振動子の特性に及ぼす加工層の影響
   6.1　水晶振動子のQ値と加工層との関係
   6.2　水晶振動片の加工層と周波数経時変化との関係
7. 加工層の除去

1. 偏光解析法の原理
2. ψp-ρp測定法
3. ガラスの研磨表面層
4. Bowl Feed Polishing技術
5. Bowl Feed Polishingによるガラス表面層
6. 半導体Si表面加工層の評価
7. 複素屈折率スペクトルの測定
8. ダメージ層の深さ方向分布の測定

1. カソードルミネッセンス法の原理と測定方法
2. カソードルミネッセンス法による結晶の変形・変質の観察と分析例
   2.1　ZnSeの結晶構造のミクロ観察
   2.2　TypeIIダイヤモンドの摩擦損傷
   2.3　MgO単結晶の摩擦損傷
   2.4　化合物半導体における転位のカソードルミネッセンス特性
3. まとめ

1. はじめに
2. 超音波の特性
   2.1　音波の特性（反射・透過特性）
   2.2　音波の吸収
3. 超音波顕微鏡の原理
4. 超音波顕微鏡の応用
   4.1　内部観察
   4.2　マイクロクラックの観察
   4.3　結晶粒の観察
   4.4　表面波速度測定
5. おわりに