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移動体通信デバイス技術フォーラム2000


【開催日】2000年2月25日(金)
【会場】自動車会館2階「大会議室」

コーディネータ
岡坂 定篤
(株)日立製作所 通信システム事業本部CDMAシステム本部副技師長

<焦点>CDMA規格の最新動向とデバイス開発の方向性 ―― CDMAの拡大期に対応して


◆開催プログラム  *2000年2月25日(金)9時30分〜16時50分

□開会のご挨拶(9:30〜9:35)   コーディネータ  岡坂 定篤氏

1.本格化するCDMA方式のビジネスシナリオ

1.1 DS−CDMA (9:35〜10:25)

大野 公士
NTT移動通信網(株)無線ネットワーク開発部主幹技師

1.W-CDMA(DS-CDMA)方式の標準化状況
2.W-CDMA方式の概要
3.W-CDMAシステム実験の状況およびその後の動向

1.2 MC−CDMA (10:25〜11:15)

山田  純
クアルコム ジャパン(株)ビジネス開発部長

1.MC-CDMAの特徴
2.MC-CDMAの実用化シナリオ
3.MC-CDMAによるグローバル・ローミング
4.MC-CDMAの普及見通し

2.CDMA基地局への要求事項

(11:15〜12:05)

鬼頭 英二
   日本電気(株)交換移動通信事業本部移動通信システム事業部第三開発部長

1.IMT-2000標準化動向
2.IMT-2000ネットワーク
3.ネットワークへの要求事項

<12:05〜13:00  ランチブレイク>

3.CDMA基地局系に求められるデバイス


3.1 送信系デバイス開発の最新動向(1):MOS系 (13:00〜13:50)

吉田  功
(株)日立製作所 半導体グループ アナログ技術センター 主任研究員

1.マイクロ波シリコンパワーMOSFETの特徴
2.高出力・高効率化技術
3.基地局系及び端末系デバイスの製品紹介
4.今後の展開

3.2 送信系デバイス開発の最新動向(2):GaAs系 (13:50〜14:40)

青木 芳雄
富士通カンタムデバイス(株)高速デバイス事業部第三設計部 プロジェクト課長

1. 移動体通信基地局のデバイスとしてのGaAs FET
低ひずみ、高効率化の技術と動向
2. プッシュプル型FET ( 低ひずみFET )
3. エンハンスメント・モードFET (高効率FET)
4. 次期のGaAs FET (新しい構造と材料のFET)

<14:40〜14:55  コーヒーブレイク>

4.CDMA端末デバイスの現況と今後の方向性


4.1 CDMA端末に求められるデバイス技術 (14:55〜15:30)

伊東 健治
三菱電機(株)移動体通信統括事業部国内統括部次世代機開発部技術第4課課長

1.W-CDMA用送受信機への要求性能
2.RFデバイスへの要求
3.開発例

4.2 CDMA用パワーアンプ技術 (15:30〜16:05)

岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所 研究マネージャー

1.高効率低歪パワートランジスタの構造と特性
2.低出力時の高効率動作手法
3.歪補償回路を用いたパワーアンプ技術

4.3 CDMA用フィルタ技術 (16:05〜16:40)

石川 容平
(株)村田製作所 横浜事業所長

1.CDMA方式に求められるフィルタ特性
2.端末用フィルタの現状と技術課題
3.基地局用低損失誘電体フィルタの展望
4.高電力フィルタの技術課題と方策

□総括(16:40〜16:50)

葛原 正明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所研究部長


【参加規定】

■受講料(1名につき)
46,000円(テキスト代、昼食代、コーヒー代を含む。)
(ランチブレイク:12:05〜13:00、コーヒーブレイク:14:40〜14:55)

■定員
100名(定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。)

■会場
自動車会館2階「大会議室」 【地図はこちら】
東京都千代田区九段南4-8-13  電話 03(3264)4719

【申込方法】

「セミナー参加申込」コーナーより、必要事項をフォーム内に記入の上、お申込みください。
 折り返し受講証と請求書をお送り致しますので、一週間以内に受講証が届かない場合はご連絡下さい。受講証は当日受付にご提示下さい。
 先着順に定員に達し次第締め切らせていただきますので、申し込みはお早目にお願い致します。

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