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強誘電体薄膜メモリフォーラム2000

焦点:本格化した量産プロセスの問題点と将来展望
【開催日】2000年6月2日(金)
【会場】後楽園会館「第1・2会議室」

コーディネータ
塩嵜  忠氏 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 教授
高須 秀視氏 ローム(株)半導体研究開発本部 取締役本部長
古村 雄二氏 (株)富士通研究所 Fプロジェクト部 主管研究員


 ●遂に複数のデバイスメーカが本格出荷を始めた強誘電体薄膜メモリ!――量産化の拡がりに伴ない最重要課題となる歩留り・信頼性向上への挑戦を目指し、装置・材料・評価技術開発の最前線の状況と量産適合の条件を集中討議します。


◆開催プログラム 2000年6月2日(金)10時〜17時

1.[基調講演]本格化した強誘電体デバイスの量産
    ―― 生産を支えるプロセス・装置・材料の全容と課題

1.1 Ramtron社
(10:00〜10:40)

井坂 順一
ラムトロン(株)取締役

1.FRAM技術の推進及び今後の展望
2.現状の製品及び今後の課題
3.アプリケーションの現状と今後の方向性

1.2 Symetrix社−SBTのこれからの進捗状況−
(10:40〜11:20)

小島  穣
(株)日本フェロ・テクノロジー(Symetrix Group) 代表取締役

1.SBTの成膜法と限界
2.1T、FeFETの現在と将来
3.層状ペロブスカイトの低温化の及ぼす影響

2.強誘電体キャパシタ形成技術の到達点と量産対応

(11:20〜12:10)

鄒  紅コウ
日本真空技術(株)千葉超材料研究所第3研究部コロラド研究室 室長

1.強誘電体薄膜メモリ量産における強誘電体キャパシタ形成の技術課題
2.強誘電体キャパシタ形成技術の到達点と量産対応
3.今後の課題−強誘電体薄膜メモリ量産技術のトータル・ソリューションをめざして

<12:10〜13:10 ランチブレイク・パネル/ポスター展示>

3.強誘電体パターニング技術の到達点と量産対応

(13:10〜14:00)

Steve Hambalek
日本ティーガル(株)プロセス技術課 主任研究員

1.加工技術
 ・使用するマスクの考慮
 ・積層膜の加工
 ・終点検出の重要性
 ・腐食対策
2.量産対応
 ・プラズマソースの安定性
 ・パーティクル管理
 ・装置の可動能力

4.強誘電体材料の到達点と量産対応

(14:00〜14:50)

小木 勝実
三菱マテリアル(株)総合研究所材料技術研究所 部長

1.溶液塗布剤
2.スパッタリングターゲット材
3.MOCVD材料
4.強誘電体材料の課題と将来展望

5.ここまできた強誘電体デバイス/プロセスの評価技術

(14:50〜15:40)

山口 泰範
ヤーマン(株)先端電子第2部 部長

強誘電体メモリICの量産化に伴い、デバイスとしてのテストや解析が必要になってきた。特殊な材料があるがゆえの強誘電体キャパシタとしての評価やテスト、解析、信頼性試験について、今後のサブミクロンプロセスへの対応を視野に入れて講演を行う。

<15:40〜16:00 コーヒーブレイク>

6.[パネル討論]量産プロセスに適合した装置・材料・評価技術を検証する

(16:00〜17:00)

座長:塩嵜  忠氏
パネリスト:井坂 順一氏/小島  穣氏/鄒 紅コウ氏/Steve Hambalek氏/小木 勝実氏/山口 泰範氏
コメンテータ:古村 雄二氏


【参加規定】

■受講料(1名につき)
46,000円(テキスト代、昼食代、コーヒー代を含む。)
※上記の受講料に別途消費税が課税されます。
(ランチブレイク:12:10〜13:10、コーヒーブレイク:15:40〜16:00)

■定員
80名(定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。)

■会場
後楽園会館「第1・2会議室」
【地図はこちら】
東京都文京区後楽1-7-22  電話 03(3815)8171

【申込方法】

「セミナー参加申込」コーナーより、必要事項をフォーム内に記入の上、お申込みください。
 折り返し受講証と請求書をお送り致しますので、一週間以内に受講証が届かない場合はご連絡下さい。受講証は当日受付にご提示下さい。
 先着順に定員に達し次第締め切らせていただきますので、申し込みはお早目にお願い致します。

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