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フラッシュメモリ技術フォーラム2000

焦点:市場の要求に応えるフラッシュメモリの低コスト化・高信頼性技術の最前線
【開催日】2000年7月18日(火)
【会場】後楽園会館「第1・2会議室」

オーガナイザー
舛岡 富士雄氏 東北大学電気通信研究所 教授

半導体ビジネスを強力に牽引するフラッシュメモリの本格量産期にあたり、浮上するテストコスト削減・酸化膜の高信頼化・混載プロセス/混流ラインの高歩留りを実現する画期的技術と主要各社の取り組みを集中討議する!


◆開催プログラム 2000年7月18日(火)10時〜17時

1.[基調講演]21世紀を拓くフラッシュメモリの開発ロードマップ

(10:00〜10:50)

舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所 教授

1.フラッシュメモリが切り拓くマーケット
2.フラッシュメモリの展望を切り拓くトンネル酸化膜技術

2.低コスト化を実現するAND型多値技術

(10:50〜11:40)

野副 敦史
(株)日立製作所 デバイス開発センタ フラッシュメモリ開発部 主任技師

1.256Mb AND型多値メモリの構成
2.メモリしきい値分布の精密制御

<11:40〜12:30  ランチブレイク>

3.シリコンオーディオ、シリコンムービー時代を担うNAND型フラッシュ

(12:30〜13:20)

今宮 賢一
(株)東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部先端メモリ開発センター先端メモリ開発第一担当 主務

1.大容量化のトレンド
2.メモリセル技術
3.高速化技術
4.最新動向

4.最小のセルサイズを実現するチャネル消去方式を用いたNOR型フラッシュ

(13:20〜14:10)

渥美  滋
(株)東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部先端メモリ開発センター先端メモリ開発第一担当主査

1.何故チャネル消去方式が微細化に適しているのか
2.負ゲート・チャネル消去を実現するデコーダ回路
3.1.8V単一電源動作
4.諸特性

5.極薄酸化膜の高信頼化技術

5.1 三菱電機における取り組み
(14:10〜14:50)

味香 夏夫
三菱電機(株)メモリ事業統括部メモリデバイス設計部 グループマネージャー

1.フラッシュメモリにおける酸化膜信頼性
2.酸化膜劣化現象の統計的分析
3.統計的劣化の物理的理解
4.酸化膜劣化と破壊

<14:50〜15:00  コーヒーブレイク>

5.2 松下電子における取り組み――トンネル酸化膜の信頼性技術
(15:00〜15:40)

岡田 健治
松下電子工業(株)半導体社 プロセス開発センター 開発1部

1.ゲート酸化膜研究のフィードバック
2.トンネル酸化膜の信頼性技術

6.コストパフォーマンスに優れたエンベデッドメモリのプロセス技術

6.1 NECにおける取り組み
(15:40〜16:20)

酒井 勲美
NECエレクトロンデバイス 第2メモリ事業部デバイス設計部 プロジェクトマネージャー

1.混載フラッシュメモリの特徴
2.最先端混載フラッシュメモリプロセス技術
3.今後の課題と技術動向

6.2 沖電気における取り組み
(16:20〜17:00)

倉知 郁生
沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー 生産センタ 技術3部 課長

1.Embedded Flashでのコスト要因
2.Embedded Flashプロセスの低コスト化
3.プロセス開発コスト低減に対するアプローチ


【参加規定】

■受講料(1名につき)
46,000円(テキスト代、昼食代、コーヒー代を含む。)
※上記の受講料に別途消費税が課税されます。
(ランチブレイク:11:40〜12:30、コーヒーブレイク:14:50〜15:00)

■定員
80名(定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。)

■会場
後楽園会館「第1・2会議室」
【地図はこちら】
東京都文京区後楽1-7-22  電話 03(3815)8171

【申込方法】

「セミナー参加申込」コーナーより、必要事項をフォーム内に記入の上、お申込みください。
 折り返し受講証と請求書をお送り致しますので、一週間以内に受講証が届かない場合はご連絡下さい。受講証は当日受付にご提示下さい。
 先着順に定員に達し次第締め切らせていただきますので、申し込みはお早目にお願い致します。

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