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シリコン技術緊急フォーラム2000


【開催日】2000年10月6日(金)
【会場】日本教育会館「中会議室」

コーディネータ
池田 和子氏 NECエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部エグゼクティブエキスパート
金田  寛氏 (株)富士通研究所材料技術研究所集積材料研究部主任研究員


焦点:0.1μmプロセスで直面するシリコンウェーハ技術の重要局面


◆開催プログラム 2000年10月6日(金)10時〜17時

1.[問題提起]次世代ウェーハの平坦度と結晶品質への要求

(10:00〜10:40)

山本 秀和
三菱電機(株)ULSI技術開発センタープロセス評価技術部
材料評価グループ グループマネージャー

1.ウェーハ平坦度への要求
2.高品質結晶への要求
3.ゲッタリングへの要求

第1セッション:
次世代ウェーハの超精密加工技術とナノトポグラフィー

セッション座長:池田和子 氏

2.超平坦度を実現するウェーハ研磨技術 (10:40〜11:20)

成富 俊雄
住友金属工業(株)シチックス事業本部シリコン製造所プロセス開発部 参事

1.リソフラットネスとナノトポグラフィー
2.両面研磨ウェーハと片面研磨ウェーハ
3.両面研磨の優位性
4.片面研磨の限界

3.ナノトポグラフィーのSTI−CMPへの影響 (11:20〜12:10)

福田 哲生
富士通(株)プロセス開発部プロジェクト課長
(社)日本電子工業技術振興協会

1.発生原因
2.測定例
3.STI−CMPへの影響
4.今後の課題

<12:10〜13:00  昼 食>

4.ナノトポグラフィーの測定の標準化とその課題 (13:00〜13:40)

吉瀬 正典
日本エー・ディー・イー(株)取締役

1.ナノトポグラフィーとは
2.測定の方法とその課題
3.標準化の動向

第2セッション:
多様化する高品質シリコンウェーハ

セッション座長:金田 寛 氏

5.エピ欠陥とエピウェーハゲッタリング (13:40〜14:20)

佐藤 俊哉
富士通(株)岩手工場製造技術部 グループリーダー

1.エピウェーハでの酸化膜耐圧不良
2.エピウェーハ(P/P+)でのゲッタリング能力UP
3.エピ欠陥(LAD)のYield への影響
4.LADとParticle の分離の検討

6.窒素ドープアルゴンアニールウェーハの欠陥特性 (14:20〜14:50)

碇  敦
富士通(株)先端技術研究所
半導体材料研究部 主任研究員

1.窒素ドープによる結晶成長欠陥の変化
  ボイド欠陥の変形・消滅とGrown-in酸素折出物の発生
2.窒素ドープ結晶のアルゴンアニール
  表層無欠陥性と高ゲッタリング能の両立

<14:50〜15:10  コーヒーブレイク>

7.最近の水素アニールウェーハ技術の進展 (15:10〜15:40)

泉妻 宏治
東芝セラミックス(株)シリコン事業部加工技術担当課長

1.次世代水素処理ウェーハ(Hyper Hi ウェーハ)開発経緯
2.Hyper Hi ウェーハの不純物ゲッタリング能力
3.Hyper Hi ウェーハのNanotopography特性

8.無欠陥域結晶(ピュアシリコン)技術の将来展望 (15:40〜16:20)

降屋  久
三菱マテリアルシリコン(株)生産本部結晶生産技術部 課長

1.ピュアシリコンの製造コンセプト
2.ピュアシリコンの品質
3.ピュアシリコンの熱処理挙動
4.まとめと今後の展望

総合質疑 (16:20〜17:00)


【参加規定】

■受講料(1名につき)
46,000円(テキスト代、昼食代、コーヒー代を含む。)
※上記の受講料に別途消費税が課税されます。
(ランチブレイク:12:20〜13:10、コーヒーブレイク:15:30〜15:40)

■定員
70名(定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。)

■会場
日本教育会館7階「中会議室」
【地図はこちら】
千代田区一ツ橋2-6-2  電話 03(3230)2831

【申込方法】

「セミナー参加申込」コーナーより、必要事項をフォーム内に記入の上、お申込みください。
 折り返し受講証と請求書をお送り致しますので、一週間以内に受講証が届かない場合はご連絡下さい。受講証は当日受付にご提示下さい。
 先着順に定員に達し次第締め切らせていただきますので、申し込みはお早目にお願い致します。

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