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シリコン技術緊急フォーラム2001

300mmをめぐる諸問題と高品質ウェーハのトピック
【開催日】2001年10月18日(木)
【会場】日本教育会館

コーディネータ
北野 友久氏 NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部グループマネージャー
金田   寛氏 (株)富士通研究所材料技術研究所ナノ電子材料研究部主任研究員

エッジ・イクスルージョン、ウェーハ・トポグラフィを初め、ウェーハ形状品質をめぐる最新状況を討議するとともに、300oの結晶品質を多面的に解析し、高品質化と製造容易性の視点から今後の展開シナリオを展望します。


◆開催プログラム  *2001年10月18日(木)10時00分〜17時00分

[第1セッション]見え始めた300mmと技術上の諸問題

<座長:北野 友久氏>

1.300mmの形状品質はどこまで行ったか (10:00〜10:40)

成富 俊雄
住友金属工業(株)シチックス事業本部シリコン製造所技術開発部 参事

2.ウェーハ・トポグラフィーの先端プロセスへのインパクト
−ナノトポグラフィーとフラットネス
(10:40〜11:20)

福田 哲生
富士通(株)ULSIエンジニアリング部第2プロセス開発部プロジェクト課長

1.ウェーハ・トポグラフィーのカテゴリー
2.ナノトポグラフィーのSTI-CMPへのインパクト
3.フラットネスの課題(ウェーハとチャック)

総合討議 (11:20〜12:00)


<12:00〜12:50  ランチブレイク>


[第2セッション]結晶改質技術と次世代ウェーハ

<座長:金田 寛氏>

1.300mm結晶の欠陥状態とその制御 (12:50〜13:30)

町田 倫久
三菱マテリアルシリコン(株)技術本部商品企画部 課長

1.結晶起因の欠陥を排除した「ピュア」結晶
2.「ピュア」結晶のゲッタリング能力を強化した「スーパーシリコン」ウェーハ技術
3.課題と展望

2.窒素ドープ結晶のアルゴンアニールによるウェーハの高品質化 (13:30〜14:10)

碇 敦
新日本製鐵(株)先端技術研究所半導体材料研究部 主任研究員

1.窒素ドープによる結晶欠陥の変化
2.アルゴンアニールによる結晶欠陥の消滅挙動
3.窒素ドープアルゴンアニールウェーハの品質

3.窒素ドープ結晶の評価法 (14:10〜14:50)

棚橋 克人
(株)富士通研究所 材料技術研究所 ナノ電子材料研究部 研究員

1.窒素ドープ結晶の赤外吸収測定
2.窒素関連欠陥の熱的挙動
 2.1 準熱平衡状態の存在
 2.2 欠陥の同定
 2.3 窒素濃度測定

<14:50〜15:10  コーヒーブレイク>

4.次世代ウェーハ・ゲッタリング技術 (15:10〜15:50)

高橋 英樹
(株)富士通研究所 材料技術研究所 ナノ電子材料研究部 研究員

1.各種因子によるゲッタリング能力比較
2.ゲッタリングメカニズム

5.SIMOXウェーハ技術の現状と今後の展望 (15:50〜16:30)

松村 敦樹
新日本製鐵(株)先端技術研究所半導体材料研究部 主任研究員

1.SIMOXウェーハの品質改善状況
2.窒素ドープ結晶利用による高性能化
3.300mmSIMOXの実現状況

総合討議 (16:30〜17:00)


【参加規定】

■受講料(1名につき)
46,000円(テキスト代、昼食代、コーヒー代を含む。)
(ランチブレイク:12:00〜12:50、コーヒーブレイク:14:50〜15:10)

■定員
80名(定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。)

■会場
日本教育会館 【地図はこちら】
東京都千代田区一橋2-6-2  電話 03(3230)2831


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